高效率
DrMOS
大数据、云计算、人工智能的兴起，通信基站、数据中心及自动驾驶等终端应用都需要耗电更大的CPU、GPU及ASIC来支持更强劲的算力需求。这对供电电压调节模块(VRM)提出了严峻挑战，包括：更高的效率、更高的功率密度，同时满足极高的瞬态响应要求。多相Buck电源（多相控制器+DrMOS）正是低压、高功耗应用场景的最佳解决方案。
DrMOS
矽力杰DrMOS方案
矽力杰SQ29670是一颗单芯片SPS/DrMOS，芯片内部集成解耦电容，MOSFET，驱动及控制单元，采用业界标准封装。通过优化的驱动和死区控制逻辑，能够实现高效率、高功率密度以及良好的散热性能。通过使用AutoZero运放，提供了高精度，快速响应的IMON波形。严密的控制和保护逻辑使其能轻松兼容主流的前级控制器，适用于CPU，GPU以及POL的电源设计。
SQ29670
16V/70A集成功率级DrMOS
◆ 70A连续电流输出能力
◆ 集成功率MOS和驱动电路
◆ 开关频率高达2.0MHz
◆ 内部集成的解耦电容
◆ 3.3V PWM输入，兼容三态逻辑
◆ 5uA/A 精确电流采样上报
◆ 8mV/℃ 内部温度采样上报
◆ VDRV/VCC/VBST/VIN 欠压保护
◆ 过热保护
◆ 可编程的逐周期峰值电流保护和谷值电流保护
◆ 负电流保护
◆ 三态中自举电容充电功能
◆ 基于TMON和IMON引脚的故障上报功能
◆ 业界标准的LGA5x6-41和LGA4*6-34封装
DrMOS
典型应用
SQ29670典型应用框图
SQ29670支持5V~16V的Vin电压范围。支持3.3V电平的PWM输入信号并兼容三态输入信号。死区时间，传播延迟和驱动边沿的调整使其可以高效安全运行。
SQ29670内部集成了8mV/℃的温度传感器并可通过TMON实时报告温度，25℃下典型输出电压为800mV。TMON内部可上拉或下拉用作故障标志位，同时IMON内部可在故障时上拉或下拉到固定电平用于指示故障类型。
SQ29670可以实时采样内部MOSFET的电流信息并重建为与电感电流成正比的三角波，内建的温度补偿使其能达到5uA/A ±5%的精度输出。SQ29670支持包括OCP，NOCP，OTP等多种保护，以实现安全可靠运行。
SQ29670 IMON 波形
SQ29670 IMON精度曲线
SQ29670 效率曲线
SQ29670 开关波形
Silergy
Computing Power
随着多核架构处理器的普及，微处理器（CPU/GPU等）所需的功率急剧增加，对电压调节模块（VRM）提出了更高的要求，传统方案中，采用分立的上管，下管MOSFET与驱动器来搭建电路，SPS/DrMOS将MOSFET与其驱动器集成到单个芯片上，从而实现了电源的高效率和高功率密度。
SQ29670通过高度集成，与优化设计，提供了高效率的DrMOS方案，为提高电源整体效率，减小系统尺寸提供了帮助。
文章及图片来源 矽力杰
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参考资料：
WSCE
举办地区：广东
展会日期：2025年08月27日-2025年08月29日
开闭馆时间：09:00-18:00
举办地址：深圳市福田区福华三路深圳会展中心
展览面积：60000
观众数量：50000
举办周期：1年1届
主办单位：中国汽车工程学会
